2026中國(guó)(上海)國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)
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展會(huì)時(shí)間:2026年6月3日-6月5日
- 展會(huì)場(chǎng)館:上海新國(guó)際博覽中心
- 主辦單位:上海豐圓展覽服務(wù)有限公司
- 展會(huì)周期:一年一屆
- 展會(huì)地區(qū):上海|上海市
- 展會(huì)行業(yè):通信|通訊|電子
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半導(dǎo)體技術(shù)是現(xiàn)代科技中的核心部分,其應(yīng)用范圍非常廣泛,涉及許多不同的領(lǐng)域。在新能源、電動(dòng)車和數(shù)字經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域,半導(dǎo)體技術(shù)也扮演著非常重要的角色。十四五”期間,我國(guó)將聚焦集成電路、軟件、高端芯片、新一代半導(dǎo)體技術(shù)等領(lǐng)域的一些關(guān)鍵核心技術(shù)和前沿基礎(chǔ)研究,利用國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等給予支持,充分發(fā)揮企業(yè)創(chuàng)新主體地位,推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合。未來,我國(guó)將以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對(duì)成熟的SiC、GaN材料為切入點(diǎn),迅速做大第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封裝、設(shè)備和應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié),加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合。
隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的不斷研究和技術(shù)的不斷突破,我國(guó)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體制造業(yè)的最大消費(fèi)國(guó)之一。在未來幾年內(nèi),我國(guó)將成為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。這也就意味著,我國(guó)將承擔(dān)起推動(dòng)全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要角色,并在未來幾年中成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵發(fā)展趨勢(shì)。半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年中將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長(zhǎng),并在全球經(jīng)濟(jì)中扮演著越來越重要的角色。
根據(jù)工業(yè)和信息化部印發(fā)的《關(guān)于加快推進(jìn)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、建設(shè)世界一流水平集成電路設(shè)計(jì)制造基地的意見》(簡(jiǎn)稱“十三條”),未來5年內(nèi)全國(guó)將有100多家重要企業(yè)獲批布局。這將進(jìn)一步推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為國(guó)內(nèi)企業(yè)創(chuàng)造更多的機(jī)遇。在這一新的發(fā)展契機(jī)下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更廣闊的市場(chǎng)空間和更多的合作機(jī)會(huì)。
1、半導(dǎo)體設(shè)備:
2、IC設(shè)計(jì):IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、IC產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)、IC測(cè)試方法與測(cè)試儀器、IC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)工具、IC制造與封裝、EDA、IP設(shè)計(jì)、嵌入式軟件、數(shù)字電路設(shè)計(jì)、模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)、集成電路布局設(shè)計(jì)、IDM、Fabless廠等;
3、 晶圓制造及封裝:晶圓制造、SiP先進(jìn)封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測(cè)試等、封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試、設(shè)備與應(yīng)用制造與封測(cè)、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備等;
4、集成電路制造:晶圓制造廠、晶圓代工廠、模擬集成電路、數(shù)字集成電路、模混合集成電路制造、集成電路終端產(chǎn)品等;
5、 封裝與測(cè)試配套:測(cè)試探針臺(tái)、探針卡、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、封裝設(shè)備、封裝基板、引線框架鍵合絲、引線鍵合、燒焊測(cè)試、自動(dòng)化測(cè)試、激光切割及其它、研磨液、劃片液、封片膜(膠)高溫膠帶、層壓基板、貼片膠、上料板、焊線流量控制、石英石墨、碳化硅等;
6、第三代半導(dǎo)體:第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測(cè)試、光電子器件(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測(cè)器紫外)、電力電子器件(二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等;
7、半導(dǎo)體材料:硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學(xué)氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘合材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測(cè)材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等;
8、電子元器件: